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麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭

更新時間:2024-09-14

次數(shù):251

廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

產(chǎn)品型號:MOIP800P

簡要描述:
麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭
基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭,擁有共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相,是判定其他 電壓探頭所測信號真實性的裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術(shù),解決了隔離供電的問題。
品牌其他品牌產(chǎn)地類別國產(chǎn)
應用領域電子,交通,航天,汽車,綜合

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭

麥科信MICSIG SigOFIT MOIP系列光隔離探頭

帶寬:DC-1GHz

共模電壓: 85kVpk

直流增益精度:1%

共模抑制比:高達180dB

產(chǎn)品概述:

基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭,擁有共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相,

是判定其他 電壓探頭所測信號真實性的裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術(shù),解決了隔離供電的問題。

產(chǎn)品特點:

最真實的信號呈現(xiàn)

SigOFIT光隔離探頭具有共模抑制比,在100MHzCMRR高達128dB、在1GHzCMRR仍然高達108dB,是判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判。

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭


測試精度與穩(wěn)定性

作為判定其他電壓探頭所測信號真實性的裁判,測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。SigOFIT光隔離探頭,具有幅頻特性,直流增益精度優(yōu)于1%,底噪小于0.45mVrms,預熱5min后零點漂移小于0.1%,增益漂移小于1%。

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭


第三代半導體的最佳測試手段

第三代半導體器件由于導通與關(guān)斷時間很短,信號具有更快的上升沿和下降沿,信號中具有很高能量的高頻諧波,SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩,所呈現(xiàn)的信號沒有額外多余成分。

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭


測試氮化鎵(GaN)不炸管

SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸,探頭輸入電容最小僅1pF,測試氮化鎵(GaN)十分安全。

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭


使用靈活,高效便捷

SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小,探頭引線更精巧,使用更加靈活方便;探頭響應快,上電即測,校準時間小于1秒,校準時,無需斷開測試連接,可實時保證精確的信號輸出。

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭


真正光隔離技術(shù)

用激光傳輸信號+用激光傳輸電能(不用電池,電源更純凈),可365天不間斷測試。

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭


測試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號,SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器,可以測試±0.01V±6250V的差模信號,并實現(xiàn)滿量程輸出,達到很高的信噪比。

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭


應用場景

對其他電壓探頭所測結(jié)果準確性、真實性存在質(zhì)疑時,SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。

電源設備評估、電流并聯(lián)測量、EMI 和 ESD 故障排除

電機驅(qū)動設計、功率轉(zhuǎn)換器設計 、電子鎮(zhèn)流器設計

氮化鎵、碳化硅、IGBT/全橋設備的設計與分析

高壓高帶寬測試應用的安全隔離測試

逆變器、UPS及開關(guān)電源的測試

寬電壓、寬帶測試應用

各種浮地測試

麥科信MICSIG MOIP500P 光隔離探頭


產(chǎn)品參數(shù):

產(chǎn)品型號

MOIP100P

MOIP200P

MOIP350P

MOIP500P

MOIP800P

MOIP1000P

    

100MHz

200MHz

350MHz

500MHz

800MHz

1GHz

上升時間

≤3.5ns

≤1.75ns

≤1ns

≤700ps

≤438ps

≤350ps

共模抑制比

DC: 180dB

100MHz: 128dB

DC: 180dB

200MHz: 122dB

DC: 180dB

350MHz: 118dB

DC: 180dB

500MHz: 114dB

DC: 180dB

800MHz: 110dB

DC: 180dB

1GHz: 108dB

差模電壓

±6250V

±5000V

    

<0.45mVrms

<0.45mVrms

直流增益精度

1%

共模電壓

85kVpk

    

通用BNC



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